SK海力士公司

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　　Hynix海力士晶元生產商，源於南韓品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代記憶體，總部位於南韓。

　　海力士半導體在1983年以現代電子產業有限公司成立，在1996年正式在南韓上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。

　　2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商。

　　SK海力士半導體（中國）有限公司是由南韓SK海力士株式會社於2005年4月投資設立的半導體製造工廠，主要生產12英寸半導體集成電路晶元。公司在無錫進行了多次增資技術升級，累計投資額約200億美元，已成為江蘇省單體投資規模最大、技術水平最高、發展速度最快的外資企業。 SK海力士半導體（中國）有限公司一直致力於打造世界第一的半導體生產基地，與此同時，認真履行企業的社會責任，力求創造社會價值，與地區實現攜手發展。SK海力士正在努力打造“芯的飛躍，芯的未來”，必將邁著穩健的步伐，前進在成長繁榮的路上。

　　2012年2月，南韓第三大財閥SK集團宣佈收購海力士21.05%的股份從而入主這家記憶體大廠，更名SK hynix。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。

　　2019年7月22日，《財富》世界500強榜單公佈，SK海力士公司位列第335位，同時也是世界500強最賺錢的50家公司之一^[1]。

　　2021年12月22日，SK海力士宣佈，針對公司的英特爾NAND快閃記憶體及SSD業務收購案獲得了國家市場監督管理總局的批准。據國家市場監督管理總局反壟斷局官網消息，市場監管總局收到SK海力士株式會社收購英特爾公司部分業務案的經營者集中反壟斷申報。經審查，市場監管總局決定附加限制性條件批准此項經營者集中。

　　目的：引領以科技為基礎的ICT生態圈，與社會各界共創更美好的世界。

　　價值：強烈信念、技術創新、共同發展

　　驅動因素：引領科技前沿、誠信可靠的伙伴、共用社會價值

　　SK海力士引領以科技為基礎的IT生態圈未來。憑藉強烈的信念和技術創新，希冀所有利益相關者和社會成員共同發展的美好未來。SK海力士建立全新的品牌識別系統，力爭成為以先進技術為核心力量創造更美好世界的公司。

　　SK海力士深刻認識到為贏得利益相關者的信任並提升企業價值， 加強社會責任意識 既是我們應盡的責任，也是一種生存方式。為此，我們已宣佈同時追求經濟和社會價值的雙重底線（Double Bottom Line，簡稱DBL）管理原則，採取具體措施保持兩種價值的平衡，同時努力確保競爭優勢。該原則不僅是SK海力士平衡社會價值（Social Value）和經濟價值（Economic Value）的管理體系指導原則，而且是實現公司章程中規定的企業觀，即“為推動社會和經濟發展發揮核心作用，進而為人類的幸福作貢獻”的實踐辦法。SK海力士正在雙重底線管理體系（DBLMS）的基礎上，制定事業計劃，建立實施、補償、評價體系並不斷升級優化，將追求員工幸福感和為解決社會問題做出貢獻作為企業社會價值的內涵。

市場地位

　　在南韓有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處於第二位，中國市場占有率處於第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒適的生活環境。海力士半導體致力生產以DRAM和NAND Flash為主的半導體產品。

市場前景

　　海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開闢已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟註入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。

1983年02月，創立現代電子株式會社

1984年09月，完成FAB II-A

1985年10月，開始批量生產256K的DRAM

1986年04月，設立半導體研究院
06月，舉行第一次員工文化展覽會"Ami Carnical"

1988年01月，開發1M的DRAM
11月，在歐洲當地設立公司(HEE)

1989年09月，開發4M的DRAM
11月，完成FAB III

1996年12月，公司股票上市

1997年05月，在世界上首次開發1G SDRAM

1998年09月，開發64M的DDR SDRAM

1999年03月，出售專業的半導體組裝公司(ChipPAC)
10月，合併LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社

2000年04月，剝離電子線路設計業務‘Hyundai Autonet’
08月，剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest'

2001年03月，公司更名為"Hynix半導體有限公司"
05月，剝離通信服務業務'Hyundai CuriTel'
07月，剝離CDMA移動通信設備製造業務'Hyundai Syscomm'
08月，開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM，完成與現代集團的最終分離。

2002年03月，開發1G DDR DRAM模塊
06月，在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
08月，在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM
10月,開發0.10微米、512MB DDR
111月，出售HYDIS，TFT-LCD業務部門

2003年03月，發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
04月，宣佈與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND快閃記憶體
05月，採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
06月 ，512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
07月，宣佈在世界上首次發表DDR500
08月，宣佈發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世
12月，宣佈與PromMOS簽署長期的戰略性MOU

2004年02月，成功開發NAND快閃記憶體
03月，行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
06月，簽訂非記憶體事業營業權轉讓協議
07月，獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
08月，與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
11月，與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議

2005年01月，與臺灣茂德科技簽訂戰略性合作伙伴協議
03月，發佈2004年財務報表，實現高銷售利潤
04月，海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
07月，提前從企業重組完善協議中抽身而出
11月，業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM
12月，世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006年創下最高業績及利潤。01月，發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)
03月，業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證。
09月，300mm研究生產線下線
10月，創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路
12月，業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2007年01月，開發出以"晶圓級封裝(Wafer Level Package)"技術為基礎的超高速存儲器模塊
03月，開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表"生態標記(ECO Mark)"與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
04月，DOC H3開始大量生產在南韓清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
05月，業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
07月，發表企業中長期總體規劃
08月，開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
09月，以24層疊晶元(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP
10月，與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(南韓)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
11月，WTO做出判決海力士進口晶元相關報複性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
12月，成功發行國際可兌換券(global convertible notes)

2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
01月，簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程式上進行合作的合同
02月，引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
04月，為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
05月，與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
08月，清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
11月，引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
12月，世界最先開發2Gb Mobile DRAM

2009年01月，世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證
02月，世界最先開發44nm DDR3 DRAM
03月，世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
04月，世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
05月，成立中國無錫市後續工程合作社。

2012年02月，南韓第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix

2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知

2013年11月15日，海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級

2019年2月，公司已提交了投資意向書，計劃在南韓建設一個半導體工業區。公司計劃在2022年之後的10年裡投資120萬億韓元（1066.6億美元），在首爾以南40公裡的龍仁市新工業區建設四座晶圓廠^[2]。

2020年10月推出全球首款DDR5 DRAM，宣佈收購英特爾NAND快閃記憶體業務

2021年12月22日，SK海力士宣佈，針對公司的英特爾NAND快閃記憶體及SSD業務收購案獲得了國家市場監督管理總局的批准。

　　2013年9月4日下午3點半左右，無錫新區海力士公司的生產車間發生氣體泄漏，引發車間屋頂排氣管洗滌塔管道的保護層著火。無錫消防200多名官兵趕至現場撲救，截至當日18點，明火已全部撲滅。從車間疏散出人員中，1人受輕微外傷，另有10餘人去醫院進行呼吸道檢查，均無大礙。火災發生後，無錫市委主要領導作出批示，市政府和無錫新區領導第一時間趕赴現場組織開展滅火救援，市環保部門迅速組織對企業周邊環境、空氣質量情況進行檢測。

　　無錫市政府新聞辦官方微博“無錫發佈”發佈消息，事故是因為SK海力士公司生產車間氣體泄漏，引發車間屋頂排氣洗滌塔管道的保護層著火^[3]

　　事後有險企人士向《每日經濟新聞(微博)》記者透露，SK海力士大火報損約10億美元，保險業估損將達9億美元，這將是國內最大的一筆保險賠案。

　　據《中國保險報》此前報道，SK海力士5家承保公司中各自的份額分別為：現代保險占比50%，人保財險占比35%，大地保險、太平洋產險、樂愛金財險各占5%。

　　SK海力士大火的首席承保人是南韓現代財險，國內的人保財險和太平洋產險等13家公司都險都參與其中。SK海力士火災的最終賠付金額已確認在9億美元，這是國內保險史上的最大一筆理賠案。江蘇省保監局保險財產保險監管處處長王雷介紹，現在的進展情況是正在運行之中，已經預付了大約3億美金。13家大型保險公司都在為這起火災承擔賠付，這也將推高今年企業財產險的相關保費^[4]

　　2018年5月31日，中國反壟斷機構對三星、海力士、美光位於北京、上海、深圳的辦公室展開突然調查，三大巨頭有礙公平競爭的行為以及部分企業的舉報推動了中國反壟斷機構發起此次調查。