全球专业中文经管百科,由121,994位网友共同编写而成,共计435,753个条目

大規模集成電路

用手机看条目

出自 MBA智库百科(https://wiki.mbalib.com/)

大規模混合集成電路(Large Scale Hybrid IC)

目錄

什麼是大規模集成電路

  大規模集成電路由100個以上的門電路或1000個以上的晶體管、電阻等元件集成在一塊晶片上,並互連成具有一個系統或一個分系統功能的集成電路。可用於電子錶、計算器和微型電腦中。

大規模集成電路技術[1]

  集成電路根據它所包含的元器件數的多少來劃分它的規模。集成電路所包含的元器件數也叫集成度。規模大小通常以集成度或每個晶元所含門數來劃分。通常每個晶元所含元器件數在1000個以上或每個晶元所含門數在100門以上的,則稱為大規模集成電路(LSD:晶元含元件數在10萬至1千萬或l萬門至1百萬門級的,稱為超大規模集成電路(VLSD;含元件數千萬至10億或百萬門至千萬門級的,稱為特大規模集成電路:含元件數超過10億或千萬門級以上的,稱為巨大規模集成電路(LGSl)。

  LSI技術主要包括電路設計技術、掩模製造技術、圓片加工技術、封裝技術、電路測試技術及叫靠性技術等。

  LSI是一個新興的高新技術產業,除了具有高新技術產業的共同特點外,又有其本身的特點:

  (1)滲透力強,附加價值高。LSI的發展滲透到國民經濟的各個領域,帶動了相關支撐產業的發展‘大規模集成電路從原材料加工到成為產品,價值大幅度提高。其應用改變了傳統產品的結構,提高了性能、效果、功能和使用的可靠性,縮小了應用產品的體積,從而人大提高了這些產品的價值,充分體現了滲透力強、附加值高的特點。

  (2)技術密集,信息含量大。LSI的集成度以每三年四倍的速率增長,目前典型的產品256MB位動態隨機存取存儲器(DRAM)單片電路的元件數已達5.6億個,可存儲2.5x108比特信息。LSI技術綜合了各學科的最新成就,充分體現了硬科學和軟科學的有機統一,是應用研究和基礎研究的有機結合:也充分體現了技術密集、知識密集和人才密集的明顯特點。

  (3)市場敏感,更新周期快。由於電子整機需求和更新換代,牽引了LSI市場的發展,其產品的信息容量和處理速度等性能要求大大提高,推動了LSI的更新周期。LSI製造設備和丁藝技術的更新周期約為3-5年,其產品的換代周期為3-4年,這反過來又推動了電廠整機的更新換代。

  (4)投資密集,經濟效益好。LSI的設備和科研的投資費用很大,在向亞微米、深亞微米技術發展中,各種設備日趨高精度和自動化,而研製開發費用也大大提高,充分體現了一代技術,—-代設備,——代產品。LSI的競爭是設備和技術的競爭,只有持續不斷地增大其投入,才能形成規模經濟。也只有生產大規模化才能帶來產品的低成本和低價格,才能參與同際競爭,才能產生很高的經濟效益

  大規模集成電路技術難點如下:

  (1)微細加丁技術。LSI對微細加工技術的要求越來越高,主要代表為光刻刻蝕技術。光刻適合0.5-0.25gm的線條光刻,準分子激光器產生的遠紫外線光刻加工精度為0.35-0.25gm,移相曝光技術可實現0.12-0.08gm線寬的圖形加工。電子束曝光主要用於掩模製作,也可用於0.3-0.1gm的電路圖形加工。X線光刻是0.15gm乾兆(G)位級DRAM的關鍵設備。離子束投影光刻可適應0.18gm以下4-16GBDRAM的需求。刻蝕技術將山等離子刻蝕、離子束刻蝕、光化學腐蝕等技術來完成。

  (2)摻雜與退火技術。目前,低溫摻雜技術的主要方法是離子註入技術、下行束註入技術等。退火技術除了常規熱退火外,正在開發和應用的退火技術有激光退火(脈衝激光退火、連續門描激光退火)、電子束退火、微波輻射退火和加速熱退火等。近幾年來,快速熱退火技術的發礎非常迅速,已在VLSI晶元製作中廣泛應用。

  (3)多層佈線及平坦化技術。多層佈線和互連技術包括介質膜和餘屬的形成與腐蝕、平小化、接觸孔阻擋層等工藝技術。以DRAM為例,16MB的DRAM佈線層數達3—4層,64MB為4—5層。在雙極電路中,最多要達到6層。由寸:多層互連,層間的介質隔離以及金屆層的乎坦化技術也就成為關鍵技術。

  (4)超薄膜成膜技術。LSI工藝中的薄膜形成技術有化學澱積、物理澱積及機械塗復等。

參考文獻

  1. 趙元哲,宋力,藺文超.面向21世紀高等學校系列教材 辦公自動化技術及應用教程=The Technigues and Applications of Modern Office Automation.西安電子科技大學出版社,2004年07月第1版.
本條目對我有幫助1
MBA智库APP

扫一扫,下载MBA智库APP

分享到:
  如果您認為本條目還有待完善,需要補充新內容或修改錯誤內容,請編輯條目投訴舉報

本条目由以下用户参与贡献

Yixi,Lin,LuyinT.

評論(共2條)

提示:評論內容為網友針對條目"大規模集成電路"展開的討論,與本站觀點立場無關。
Ford Mustang GT (討論 | 貢獻) 在 2018年5月30日 10:57 發表

VLSD_指明文中"兀"為元

回複評論
LuyinT (討論 | 貢獻) 在 2018年5月30日 16:07 發表

Ford Mustang GT (討論 | 貢獻) 在 2018年5月30日 10:57 發表

VLSD_指明文中"兀"為元

我恰巧看到,給改過來了

回複評論

發表評論請文明上網,理性發言並遵守有關規定。

打开APP

以上内容根据网友推荐自动排序生成

下载APP

闽公网安备 35020302032707号