晶體管

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晶體管(Transistor)

　　晶體管全稱雙極型三極體(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極體，簡稱三極體，是一種固體半導體器件，可用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等。晶體管作為一種可變開關．基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般機械開關(如Relay、switch)不同的是：晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度非常快，在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。

　　三極體的種類很多，按器件材料可以分為鍺三極體、硅三極體和化合物材料三極體等；按器件性能可以分為低頻小功率三極體、低頻大功率三極體、高頻小功率三極體、高頻大功率三極體；按PN結類型分為PNP型和NPN型三極體。三極體的實物及電路符號如圖所示。

　　晶體管按其結構分為NPN型和PNP型兩類。晶體管結構與符號如圖所示。它們都有三個區：集電區、基區、發射區；從這三個區引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發射極e(Emitter)。兩個PN結：發射區與基區之間的PN結稱為發射結J_e，基區與集電區之間的PN結稱為集電結J_e。

　　兩種管子的電路符號的發射極箭頭方向不同，箭頭方向表示發射結正偏時發射極電流的實際方向。

　　應當指出，晶體管絕不是兩個PN結的簡單連接。它採用了以下製造工藝：基區很薄且摻雜濃度低，發射區摻雜濃度高，集電結面積比發射結的面積大等。這些都是為了保證晶體管具有較好的電流放大作用。

　　由於晶體管在結構上有這些特點，所以不能用兩個二極體背向連接來說明晶體管的作用，在使用時發射極和集電極一般不能互換。

　　晶體管種類很多。除上述的按結構分為NPN型和PNP型外，按工作頻率可分為低頻管和高頻管；按功率大小可分為小功率管、中功率管和大功率管；按所用半導體材料分為硅管和鍺管；按用途分為放大管和開關管等。晶體管命名方法參閱附錄B表B一-1。例如3AX31B為鍺材料PNP型低頻小功率晶體管，序號為31，規格號為B。3DG6C為硅材料NPN型高頻小功率管，序號為6，規格號為C。3DA2A為硅材料高頻大功率晶體管，序號為2，規格號為A。