SK海力士公司

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　　Hynix海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，总部位于韩国。

　　海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。

　　2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。

　　SK海力士半导体（中国）有限公司是由韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片。公司在无锡进行了多次增资技术升级，累计投资额约200亿美元，已成为江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资企业。 SK海力士半导体（中国）有限公司一直致力于打造世界第一的半导体生产基地，与此同时，认真履行企业的社会责任，力求创造社会价值，与地区实现携手发展。SK海力士正在努力打造“芯的飞跃，芯的未来”，必将迈着稳健的步伐，前进在成长繁荣的路上。

　　2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂，更名SK hynix。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

　　2019年7月22日，《财富》世界500强榜单公布，SK海力士公司位列第335位，同时也是世界500强最赚钱的50家公司之一^[1]。

　　2021年12月22日，SK海力士宣布，针对公司的英特尔NAND闪存及SSD业务收购案获得了国家市场监督管理总局的批准。据国家市场监督管理总局反垄断局官网消息，市场监管总局收到SK海力士株式会社收购英特尔公司部分业务案的经营者集中反垄断申报。经审查，市场监管总局决定附加限制性条件批准此项经营者集中。

　　目的：引领以科技为基础的ICT生态圈，与社会各界共创更美好的世界。

　　价值：强烈信念、技术创新、共同发展

　　驱动因素：引领科技前沿、诚信可靠的伙伴、共享社会价值

　　SK海力士引领以科技为基础的IT生态圈未来。凭借强烈的信念和技术创新，希冀所有利益相关者和社会成员共同发展的美好未来。SK海力士建立全新的品牌识别系统，力争成为以先进技术为核心力量创造更美好世界的公司。

　　SK海力士深刻认识到为赢得利益相关者的信任并提升企业价值， 加强社会责任意识 既是我们应尽的责任，也是一种生存方式。为此，我们已宣布同时追求经济和社会价值的双重底线（Double Bottom Line，简称DBL）管理原则，采取具体措施保持两种价值的平衡，同时努力确保竞争优势。该原则不仅是SK海力士平衡社会价值（Social Value）和经济价值（Economic Value）的管理体系指导原则，而且是实现公司章程中规定的企业观，即“为推动社会和经济发展发挥核心作用，进而为人类的幸福作贡献”的实践办法。SK海力士正在双重底线管理体系（DBLMS）的基础上，制定事业计划，建立实施、补偿、评价体系并不断升级优化，将追求员工幸福感和为解决社会问题做出贡献作为企业社会价值的内涵。

市场地位

　　在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

市场前景

　　海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。

1983年02月，创立现代电子株式会社

1984年09月，完成FAB II-A

1985年10月，开始批量生产256K的DRAM

1986年04月，设立半导体研究院
06月，举行第一次员工文化展览会"Ami Carnical"

1988年01月，开发1M的DRAM
11月，在欧洲当地设立公司(HEE)

1989年09月，开发4M的DRAM
11月，完成FAB III

1996年12月，公司股票上市

1997年05月，在世界上首次开发1G SDRAM

1998年09月，开发64M的DDR SDRAM

1999年03月，出售专业的半导体组装公司(ChipPAC)
10月，合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社

2000年04月，剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
08月，剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest'

2001年03月，公司更名为"Hynix半导体有限公司"
05月，剥离通信服务业务'Hyundai CuriTel'
07月，剥离CDMA移动通信设备制造业务'Hyundai Syscomm'
08月，开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM，完成与现代集团的最终分离。

2002年03月，开发1G DDR DRAM模块
06月，在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
08月，在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
10月,开发0.10微米、512MB DDR
111月，出售HYDIS，TFT-LCD业务部门

2003年03月，发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
04月，宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
05月，采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
06月 ，512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
07月，宣布在世界上首次发表DDR500
08月，宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世
12月，宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

2004年02月，成功开发NAND闪存
03月，行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
06月，签订非内存事业营业权转让协议
07月，获得公司成立以来最大的季度营业利润
08月，与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
11月，与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议

2005年01月，与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
03月，发布2004年财务报表，实现高销售利润
04月，海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
07月，提前从企业重组完善协议中抽身而出
11月，业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
12月，世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006年创下最高业绩及利润。01月，发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
03月，业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证。
09月，300mm研究生产线下线
10月，创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
12月，业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2007年01月，开发出以"晶圆级封装(Wafer Level Package)"技术为基础的超高速存储器模块
03月，开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表"生态标记(ECO Mark)"与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
04月，DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
05月，业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
07月，发表企业中长期总体规划
08月，开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
09月，以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
10月，与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
11月，WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
12月，成功发行国际可兑换券(global convertible notes)

2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
01月，签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
02月，引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
04月，为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
05月，与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
08月，清州第三工厂的300mm组装厂竣工
11月，引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
12月，世界最先开发2Gb Mobile DRAM

2009年01月，世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证
02月，世界最先开发44nm DDR3 DRAM
03月，世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
04月，世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
05月，成立中国无锡市后续工程合作社。

2012年02月，韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix

2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知

2013年11月15日，海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级

2019年2月，公司已提交了投资意向书，计划在韩国建设一个半导体工业区。公司计划在2022年之后的10年里投资120万亿韩元（1066.6亿美元），在首尔以南40公里的龙仁市新工业区建设四座晶圆厂^[2]。

2020年10月推出全球首款DDR5 DRAM，宣布收购英特尔NAND闪存业务

2021年12月22日，SK海力士宣布，针对公司的英特尔NAND闪存及SSD业务收购案获得了国家市场监督管理总局的批准。

　　2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市政府和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气质量情况进行检测。

　　无锡市政府新闻办官方微博“无锡发布”发布消息，事故是因为SK海力士公司生产车间气体泄漏，引发车间屋顶排气洗涤塔管道的保护层着火^[3]

　　事后有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。

　　据《中国保险报》此前报道，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。

　　SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高今年企业财产险的相关保费^[4]

　　2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。